SISS92DN-T1-GE3 MOSFET, N-CH, 250V, 12.3A, 150DEG C VISHAY

VISHAYUGS :SISS92DN-T1-GE3 Code de commande:3019146

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description

VISHAY - SISS92DN-T1-GE3 - Power MOSFET, N Channel, 250 V, 12.3 A, 0.14 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount

  • Transistor Polarity: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 12.3A
  • Drain Source Voltage Vds: 250V
  • On Resistance Rds(on): 0.14ohm
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V
  • Threshold Voltage Vgs: 4V
  • Power Dissipation Pd: 65.8W
  • Transistor Case Style: PowerPAK 1212
  • No. of Pins: 8Pins
  • Operating Temperature Max: 150°C
  • Product Range: TrenchFET Series
  • Automotive Qualification Standard: -
  • MSL: MSL 1 - Unlimited
  • SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)

Frais de port prévus

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