SISH615ADN-T1-GE3 MOSFET, P-CH, -20V, -35A, 150DEG C, 52W VISHAY

VISHAYUGS :SISH615ADN-T1-GE3 Code de commande:3019134

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description

VISHAY - SISH615ADN-T1-GE3 - Power MOSFET, P Channel, 20 V, 35 A, 0.0035 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount

  • Transistor Polarity: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: -35A
  • Drain Source Voltage Vds: -20V
  • On Resistance Rds(on): 0.0035ohm
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V
  • Threshold Voltage Vgs: -1.5V
  • Power Dissipation Pd: 52W
  • Transistor Case Style: PowerPAK 1212
  • No. of Pins: 8Pins
  • Operating Temperature Max: 150°C
  • Product Range: TrenchFET Gen III Series
  • Automotive Qualification Standard: -
  • MSL: MSL 1 - Unlimited
  • SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)

Frais de port prévus

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