SISH129DN-T1-GE3 MOSFET, P-CH, -30V, -35A, 150DEG C VISHAY

VISHAYUGS :SISH129DN-T1-GE3 Code de commande:2932958

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description

VISHAY - SISH129DN-T1-GE3 - Power MOSFET, P Channel, 30 V, 35 A, 0.0095 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount

  • Transistor Polarity: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: -35A
  • Drain Source Voltage Vds: -30V
  • On Resistance Rds(on): 0.0095ohm
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V
  • Threshold Voltage Vgs: -2.8V
  • Power Dissipation Pd: 52.1W
  • Transistor Case Style: PowerPAK 1212
  • No. of Pins: 8Pins
  • Operating Temperature Max: 150°C
  • Product Range: TrenchFET Series
  • Automotive Qualification Standard: -
  • MSL: MSL 1 - Unlimited
  • SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

Frais de port prévus

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