SIRC10DP-T1-GE3 MOSFET, N Ch+Schottky, 30V, PowerPAK SO Vishay

VISHAYUGS :SIRC10DP-T1-GE3 Code de commande:2747684

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VISHAY - SIRC10DP-T1-GE3 - Power MOSFET, N Channel + Schottky, 30 V, 60 A, 0.0029 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount

  • Transistor Polarity: N Channel + Schottky
  • Continuous Drain Current Id: 60A
  • Drain Source Voltage Vds: 30V
  • On Resistance Rds(on): 0.0029ohm
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V
  • Threshold Voltage Vgs: 2.4V
  • Power Dissipation Pd: 43W
  • Transistor Case Style: PowerPAK SO
  • No. of Pins: 8Pins
  • Operating Temperature Max: 150°C
  • Product Range: TrenchFET Series
  • Automotive Qualification Standard: -
  • MSL: MSL 1 - Unlimited
  • SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)

Frais de port prévus

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