SIDR626DP-T1-GE3 MOSFET, N-Ch, 60V, 100A, 150DEG C, 125W Vishay

VISHAYUGS :SIDR626DP-T1-GE3 Code de commande:2932898

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description

VISHAY - SIDR626DP-T1-GE3 - Power MOSFET, N Channel, 60 V, 100 A, 0.0014 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount

  • Transistor Polarity: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 100A
  • Drain Source Voltage Vds: 60V
  • On Resistance Rds(on): 0.0014ohm
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V
  • Threshold Voltage Vgs: 3.4V
  • Power Dissipation Pd: 125W
  • Transistor Case Style: PowerPAK SO
  • No. of Pins: 8Pins
  • Operating Temperature Max: 150°C
  • Product Range: TrenchFET Gen IV Series
  • Automotive Qualification Standard: -
  • MSL: MSL 1 - Unlimited
  • SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

Frais de port prévus

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