SI4459BDY-T1-GE3 MOSFET, P-Ch, -30V, -27.8A, SOIC Vishay

VISHAYUGS :SI4459BDY-T1-GE3 Code de commande:2857064

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description

VISHAY - SI4459BDY-T1-GE3 - Power MOSFET, P Channel, 30 V, 27.8 A, 0.0041 ohm, SOIC, Surface Mount

  • Transistor Polarity: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: -27.8A
  • Drain Source Voltage Vds: -30V
  • On Resistance Rds(on): 0.0041ohm
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V
  • Threshold Voltage Vgs: -2.2V
  • Power Dissipation Pd: 5.6W
  • Transistor Case Style: SOIC
  • No. of Pins: 8Pins
  • Operating Temperature Max: 150°C
  • Product Range: TrenchFET Gen IV Series
  • Automotive Qualification Standard: -
  • MSL: MSL 1 - Unlimited
  • SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

Frais de port prévus

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