SI2323DDS-T1-GE3 MOSFET, P-CH, -20V, -5.3A, SOT-23 VISHAY

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VISHAY - SI2323DDS-T1-GE3 - Power MOSFET, P Channel, 20 V, 5.3 A, 0.032 ohm, SOT-23, Surface Mount

  • Transistor Polarity: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: -5.3A
  • Drain Source Voltage Vds: -20V
  • On Resistance Rds(on): 0.032ohm
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5V
  • Threshold Voltage Vgs: -1V
  • Power Dissipation Pd: 1.7W
  • Transistor Case Style: SOT-23
  • No. of Pins: 3Pins
  • Operating Temperature Max: 150°C
  • Product Range: TrenchFET Series
  • Automotive Qualification Standard: -
  • MSL: MSL 1 - Unlimited
  • SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)

Frais de port prévus

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