SCTWA60N120G2-4 - Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 60 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, HiP247 - STMICROELECTRONICS

STMICROELECTRONICSUGS :SCTWA60N120G2-4 Code de commande:3775644

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description

  • Channel Type: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 60A
  • Drain Source On State Resistance: 0.035ohm
  • Drain Source Voltage Vds: 1.2kV
  • Gate Source Threshold Voltage Max: 3V
  • MOSFET Module Configuration: Single
  • No. of Pins: 4Pins
  • On Resistance Rds(on): 0.035ohm
  • Operating Temperature Max: 200°C
  • Power Dissipation: 389W
  • Power Dissipation Pd: 389W
  • Product Range: -
  • Rds(on) Test Voltage: 18V
  • Transistor Case Style: HiP247
  • Transistor Polarity: N Channel

Frais de port prévus

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