SCTH40N120G2V-7 - Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 36 A, 1.2 kV, 0.07 ohm, H2PAK - STMICROELECTRONICS

STMICROELECTRONICSUGS :SCTH40N120G2V-7 Code de commande:3758567

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description

  • Channel Type: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 36A
  • Drain Source On State Resistance: 0.07ohm
  • Drain Source Voltage Vds: 1.2kV
  • Gate Source Threshold Voltage Max: 2.45V
  • MOSFET Module Configuration: Single
  • MSL: MSL 1 - Unlimited
  • No. of Pins: 7Pins
  • On Resistance Rds(on): 0.07ohm
  • Operating Temperature Max: 175°C
  • Power Dissipation: 238W
  • Power Dissipation Pd: 238W
  • Product Range: -
  • Rds(on) Test Voltage: 18V
  • Transistor Case Style: H2PAK
  • Transistor Polarity: N Channel

Frais de port prévus

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