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GT30J65MRB,S1E(S - IGBT, 60 A, 1.4 V, 200 W, 650 V, TO-3P, 3 Pins - TOSHIBA
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GT30J65MRB,S1E(S - IGBT, 60 A, 1.4 V, 200 W, 650 V, TO-3P, 3 Pins - TOSHIBA

GT30J65MRB,S1E(S - IGBT, 60 A, 1.4 V, 200 W, 650 V, TO-3P, 3 Pins - TOSHIBA

TOSHIBAUGS :GT30J65MRB,S1E(S Code de commande:4153421
Prix:
€7,16

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description

  • Collector Emitter Saturation Voltage: 1.4V
  • Collector Emitter Voltage Max: 650V
  • Continuous Collector Current: 60A
  • No. of Pins: 3Pins
  • Operating Temperature Max: 175°C
  • Power Dissipation: 200W
  • Product Range: PW Series
  • Transistor Case Style: TO-3P
  • Transistor Mounting: Through Hole

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