SISS66DN-T1-GE3 MOSFET, N-Ch+Schottky, 30V, 178.3a Vishay

VISHAYSKU:SISS66DN-T1-GE3 Bestelcode:3128852

Prijs:
Actie prijs€2,87

Incl. BTW Verzendkosten berekening in de checkout

Voorraad:
Op voorraad (14691 units)

Omschrijving

VISHAY - SISS66DN-T1-GE3 - Power MOSFET, N Channel + Schottky, 30 V, 178.3 A, 0.00115 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount

  • Transistor Polarity: N Channel + Schottky
  • Continuous Drain Current Id: 178.3A
  • Drain Source Voltage Vds: 30V
  • On Resistance Rds(on): 0.00115ohm
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V
  • Threshold Voltage Vgs: 2.5V
  • Power Dissipation Pd: 65.8W
  • Transistor Case Style: PowerPAK 1212
  • No. of Pins: 8Pins
  • Operating Temperature Max: 150°C
  • Product Range: TrenchFET Series
  • Automotive Qualification Standard: -
  • MSL: MSL 1 - Unlimited
  • SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)

Verwachte verzendkosten

Bekijk ook eens