SI2365EDS-T1-GE3 MOSFET, P-CH, -20V, -5.9A, SOT-23 VISHAY

VISHAYSKU:SI2365EDS-T1-GE3 Bestelcode:2679680

Prijs:
Actie prijs€0,24

Incl. BTW Verzendkosten berekening in de checkout

Voorraad:
Op voorraad (6000 units)

Documenten en downloads

Omschrijving

VISHAY - SI2365EDS-T1-GE3 - Power MOSFET, P Channel, 20 V, 5.9 A, 0.0265 ohm, SOT-23, Surface Mount

  • Transistor Polarity: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: -5.9A
  • Drain Source Voltage Vds: -20V
  • On Resistance Rds(on): 0.0265ohm
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5V
  • Threshold Voltage Vgs: -1V
  • Power Dissipation Pd: 1.7W
  • Transistor Case Style: SOT-23
  • No. of Pins: 3Pins
  • Operating Temperature Max: 150°C
  • Product Range: TrenchFET Series
  • Automotive Qualification Standard: -
  • MSL: MSL 1 - Unlimited
  • SVHC: No SVHC (20-Jun-2016)

Verwachte verzendkosten

Bekijk ook eens